AL10247 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x1 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm ist ein hochreines Aluminiumoxid-Substrat mit einer kontrollierten (0001) Ausrichtung. Mit Abmessungen von 10x10 mm und einer Dicke von 1 mm lässt es sich gut in Standard-Halbleiteranlagen integrieren. Seine chemische Inertheit und thermische Stabilität ermöglichen einen effektiven Einsatz bei der Herstellung von Bauelementen, während die geringe Versetzungsdichte Mikrodefekte in kritischen Anwendungen minimiert.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x1 mm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Substrat bei der Herstellung integrierter Schaltungen verwendet, um eine gleichmäßige Schichtabscheidung zu erreichen, indem die kontrollierte kristallografische Ausrichtung des Wafers genutzt wird, wodurch die Defektdichte in aktiven Schichten verringert wird.

Optische Geräte
- Anwendung als optische Plattform in Sensor- und Laserbaugruppen zur Aufrechterhaltung einer stabilen Lichtübertragung durch Ausnutzung der inhärenten thermischen Beständigkeit und chemischen Inertheit.

Sapphire Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x1 mm Verpackung

Jeder Saphir-Wafer ist einzeln in einem antistatischen Behälter mit ausgasungsarmer Schaumstoffpolsterung gesichert, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Der Wafer wird in einer sauberen, feuchtigkeitskontrollierten Umgebung gelagert, um die Oberflächenverschmutzung zu minimieren und die Ebenheit zu erhalten. Zu den Verpackungsoptionen gehören eine spezielle Unterteilung in Fächer und Feuchtigkeitsindikatoren, die für angemessene Bedingungen während der Lagerung und des Transports sorgen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die kristallografische Ausrichtung des Substrats überprüft?
A1: Die Röntgenbeugungsanalyse (XRD) wird eingesetzt, um die Ausrichtung der (0001) C-Ebene während der Produktion zu bestätigen. Diese Messung gewährleistet zusammen mit der regelmäßigen optischen Profilierung eine konsistente Kristallorientierung und minimiert Verarbeitungsschwankungen.

Q2: Welche Lagerungsbedingungen werden für diesen Wafer empfohlen?
A2: Der Wafer sollte in einer staubfreien, feuchtigkeitskontrollierten Umgebung bei Temperaturen zwischen 20°C und 25°C gelagert werden. Diese Bedingungen tragen zur Erhaltung der Oberflächenintegrität bei und verhindern Verunreinigungen oder thermisch bedingte Defekte.

F3: Können die Abmessungen des Wafers für bestimmte Anwendungen angepasst werden?
A3: Anpassungsmöglichkeiten können auf der Grundlage der technischen Machbarkeit unter Beibehaltung der kontrollierten kristallographischen Eigenschaften des Substrats geprüft werden. Es wird empfohlen, mit dem technischen Team Rücksprache zu halten, um Produktionsänderungen für spezielle Anwendungen zu bewerten.

Zusätzliche Informationen

Aluminiumoxid (Al2O3) ist ein keramisches Material, das für seine Härte, elektrische Isolierung und thermische Stabilität geschätzt wird. Als synthetische Form von Saphir profitiert dieser Wafer von kontrollierten Kristallzüchtungsmethoden, die eine einheitliche, fehlerarme Struktur ergeben. Diese Eigenschaften sind von entscheidender Bedeutung für Anwendungen, die dauerhafte Substrate mit minimalen Unregelmäßigkeiten an den Grenzflächen erfordern.

Ein klares Verständnis der strukturellen Eigenschaften ist in der Halbleiter- und Optiktechnik unerlässlich. Die kontrollierte Ausrichtung der C-Ebene hilft bei der Ausrichtung nachfolgender Dünnschichten, wodurch Probleme im Zusammenhang mit den Grenzflächen verringert und die Leistung der Geräte in hochpräzisen Umgebungen verbessert werden.