AL10245 Saphirplättchen Al2O3 A Ebene (11-20) 5x5x0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 5x5x0,5 mm Beschreibung

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 5x5x0,5 mm werden aus synthetischem Aluminiumoxid (Al2O3) unter Verwendung kontrollierter thermischer Prozesse hergestellt, um die gewünschte Ausrichtung der A-Ebene (11-20) zu erreichen. Die Abmessungen des Wafers von 5 mm x 5 mm mit einer Dicke von 0,5 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterfertigungsanlagen. Die spezifische kristallographische Ausrichtung unterstützt definierte anisotrope Eigenschaften, die sowohl für optische als auch für elektrische Anwendungen entscheidend sind. Durch die kontrollierte Verarbeitung werden Defekte auf ein Minimum reduziert, was für eine präzise Leistung der Bauelemente unerlässlich ist.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 5x5x0,5 mm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Substrat in HF-Schaltkreiskomponenten verwendet, um den Signalverlust durch die Nutzung der stabilen dielektrischen Eigenschaften zu minimieren.
- Dient als Basisschicht in Halbleiter-Mikrogeräten zur Gewährleistung der Dimensionsstabilität durch Nutzung der einheitlichen kristallographischen Struktur.

Optoelektronik
- Wird als optisches Fenster in LED-Modulen eingesetzt, um durch die Nutzung der defektgesteuerten Gitterstruktur eine gleichmäßige Lichtdurchlässigkeit zu erreichen.
- Wird häufig in Lasermontagekomponenten verwendet, um durch Ausnutzung der anisotropen Eigenschaften des Wafers ein präzises Photonenmanagement zu erreichen.

Saphir-Wafer Al2O3 A-Ebene (11-20) 5x5x0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist einzeln in einem antistatischen, gepolsterten Beutel gesichert und in einem festen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter untergebracht, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Es wird empfohlen, die Wafer bei kontrollierter Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit zu lagern, um die Integrität der Oberfläche zu erhalten. Zu den zusätzlichen Anpassungsmöglichkeiten gehören eine Verpackung mit Feuchtigkeitsbarriere und eine spezielle Beschriftung, um Labor- oder Produktionsstandards zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die Ausrichtung der kontrollierten A-Ebene (11-20) auf die Leistung des Geräts aus?
A1: Die kontrollierte Ausrichtung der A-Ebene (11-20) verbessert die anisotropen Eigenschaften, die für ein vorhersehbares optisches und elektronisches Verhalten in Bauelementen unerlässlich sind. Diese Ausrichtung verbessert die Konsistenz der Signalausbreitung und unterstützt die präzise Strukturierung bei der Halbleiterherstellung.

F2: Welche Maßnahmen werden bei der Herstellung ergriffen, um minimale Oberflächenfehler zu gewährleisten?
A2: Der Herstellungsprozess umfasst eine Hochtemperatursynthese und eine REM-basierte Oberflächeninspektion. Diese Schritte werden durchgeführt, um eine niedrige Oberflächendefektdichte zu messen und aufrechtzuerhalten, was für eine effektive Bauelementeintegration und langfristige Leistung entscheidend ist.

F3: Wie wird die gleichmäßige Dicke des Wafers während der Produktion aufrechterhalten?
A3: Strenge Prozesskontrollen, wie z. B. mechanisches Präzisionspolieren und Inline-Dickenmessung, werden eingesetzt, um die Gleichmäßigkeit der Dicke von 0,5 mm zu gewährleisten. Diese Kontrollen verhindern Abweichungen, die sich auf die Kompatibilität der Bauelemente und die Gesamteffizienz der Fertigung auswirken könnten.

Zusätzliche Informationen

Saphirsubstrate, die aus Aluminiumoxid (Al2O3) bestehen, sind ein wesentlicher Bestandteil bei der Herstellung verschiedener Halbleiter- und optoelektronischer Geräte. Aufgrund ihrer chemischen Inertheit und optischen Transparenz sind sie für Anwendungen geeignet, die eine hohe Wärmeleitfähigkeit und strukturelle Stabilität erfordern. Diese Eigenschaften sind in erster Linie auf die robuste kristalline Bindung in Al2O3-Materialien zurückzuführen.

Die Ausrichtung der A-Ebene (11-20) in diesen Wafern bietet ein definiertes anisotropes Verhalten, das in fortschrittlichen elektronischen und photonischen Systemen genutzt werden kann. Die Entwicklung solcher Substrate erfordert eine präzise thermische und mechanische Verarbeitung, um sicherzustellen, dass die mikrostrukturellen Eigenschaften leistungsstarke Geräteanwendungen in allen technischen Branchen unterstützen.