AL10244 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 1,0 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll X 0,5 Zoll x 1,0 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 0.5 inch X 0.5 inch x 1.0 mm wird aus Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer kristallographischen Orientierung C-plane (0001) hergestellt. Der Wafer misst 0,5 Zoll x 1,0 mm und ist somit mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen kompatibel. Seine flache Oberfläche und geringe Defektdichte tragen zu einer verbesserten Prozessgleichmäßigkeit bei der Herstellung von Mikroelektronik und optischen Anwendungen bei.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll x 0,5 Zoll x 1,0 mm Anwendungen

1)Elektronik und Halbleiterherstellung
- Wird als Substrat bei der Herstellung integrierter Schaltungen verwendet, um durch die kontrollierte Ausrichtung der C-Ebene eine flache Oberfläche zu erzielen.
- Anwendung in Dünnschicht-Beschichtungsprozessen zur Verringerung von Streuverlusten durch die geringe Defektdichte.

2.optoelektronische Geräte
- Dient als Fenster in der LED-Produktion zur Verbesserung der Lichtausbeute durch Nutzung seiner hohen optischen Transparenz.
- Wird häufig in Sensoranwendungen eingesetzt, um eine stabile Signalumwandlung durch Gewährleistung einheitlicher Materialeigenschaften zu ermöglichen.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 0,5 Zoll X 0,5 Zoll x 1,0 mm Verpackung

Der Wafer wird in einer gepolsterten antistatischen Schale in einem versiegelten Beutel mit Feuchtigkeitsbarriere verpackt, um Verunreinigungen und physische Schäden zu vermeiden. Die Verpackung umfasst auch Schaumstoffeinlagen und feste Schutzkartons. Die Lagerungsrichtlinien empfehlen eine trockene, temperaturkontrollierte Umgebung, um die Materialeigenschaften zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich beschrifteter Fächer und vibrationsfester Stützen, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie werden die Oberflächenebenheit und die Defektdichte des Wafers überprüft?
A1: Die Oberflächeneigenschaften werden routinemäßig mittels Rasterkraftmikroskopie (AFM) und Rasterelektronenmikroskopie (SEM) überprüft. Diese Bewertungen tragen dazu bei, dass der Wafer die für die Halbleiterverarbeitung erforderlichen Anforderungen an Ebenheit und Defektarmut erfüllt.

Q2: Welche Lagerungsbedingungen werden für diesen Saphir-Wafer empfohlen?
A2: Der Wafer sollte in einer temperaturgeregelten, trockenen Umgebung gelagert werden, um Feuchtigkeitsaufnahme und physische Belastung zu vermeiden. Um die strukturelle Integrität des Wafers zu erhalten, wird eine antistatische Verpackung und eine vibrationsfreie Handhabung empfohlen.

F3: Können die Abmessungen oder die Ausrichtung des Wafers angepasst werden?
A3: Je nach Produktionskapazität sind kundenspezifische Anpassungen möglich. Spezifische Anfragen bezüglich der Waferabmessungen oder alternativer kristallografischer Ausrichtungen sollten mit dem technischen Team von SAM besprochen werden, um die Machbarkeit und die Auswirkungen auf die Materialeigenschaften zu bestimmen.

Zusätzliche Informationen

Saphirsubstrate aus Al2O3 sind aufgrund ihrer hohen thermischen Stabilität und chemischen Inertheit von grundlegender Bedeutung für mikro- und optoelektronische Anwendungen. Die C-Ebenen-Orientierung wird besonders bei Anwendungen geschätzt, bei denen einheitliche Oberflächenbedingungen für die Schichtabscheidung und die Leistung der Geräte entscheidend sind.

Materialwissenschaftler untersuchen häufig die kristallografischen Eigenschaften von Saphir, um die Leistung des Substrats zu verbessern. Die laufende Forschung konzentriert sich auf die Verringerung der Defektdichte und die Verbesserung der Oberflächenqualität, was wiederum Anwendungen von der Hochfrequenzelektronik bis hin zu modernen Sensortechnologien zugute kommt.