AL10243 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 1 Zoll x 1 Zoll x 0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 1 Zoll x 1 Zoll x 0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 1 inch x 1 inch x 0,5 mm ist ein hochreines, aus Aluminiumoxid geschnittenes Substrat mit einer spezifischen (0001) kristallographischen Orientierung. Die Größe von 1 Zoll x 1 Zoll mit einer Dicke von 0,5 mm gewährleistet die Kompatibilität mit Standardbearbeitungsgeräten. Die kontrollierte Oberflächenbeschaffenheit unterstützt das epitaktische Wachstum und minimiert die Defektdichte. Die inhärente optische Transparenz erleichtert eine präzise Oberflächeninspektion und Qualitätsprüfung während des gesamten Halbleiterherstellungsprozesses.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 1 Zoll x 1 Zoll x 0,5 mm Anwendungen

Elektronik
- Verwendung als Substrat in der LED-Fertigung zur Erzielung einer gleichmäßigen Lichtemission durch Ausnutzung der defektminimierten C-Ebenen-Oberfläche.
- Verwendung als Basisschicht in Mikrowellenschaltungen zur Verringerung des Signalverlusts durch Ausnutzung der niedrigen dielektrischen Verluste.

Industriell
- Verwendung als isolierende Barriere in der Leistungselektronik zur Verringerung des thermischen Abbaus durch Ausnutzung der hohen Wärmebeständigkeit.
- Wird als Schutzschicht in Sensorbaugruppen verwendet, um die Oxidation durch Ausnutzung der chemischen Inertheit des Materials zu verringern.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 1 Zoll x 1 Zoll x 0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen, staubdichten Behälter mit Schaumstoffpolsterung gesichert, um mechanische Stöße zu minimieren. Er wird in einer feuchtigkeitskontrollierten Verpackung versiegelt und bei Umgebungstemperatur gelagert, um Verunreinigungen zu vermeiden und die Oberflächenintegrität zu erhalten. Für Umgebungen, die eine strenge Partikelkontrolle und Rückverfolgbarkeit erfordern, sind optional vakuumversiegelte Beutel und kundenspezifische Beschriftungen erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Techniken setzt SAM ein, um die Ebenheit und Fehlerdichte von Wafern zu überprüfen?
A1: SAM setzt optische Mikroskopie in Verbindung mit interferometrischer Analyse ein, um die Oberflächenebenheit genau zu quantifizieren und Mikrodefekte zu identifizieren. Diese Messungen liefern Daten, die für die Aufrechterhaltung der in nachfolgenden Halbleiterprozessen erforderlichen Gleichmäßigkeit unerlässlich sind.

F2: Wie wirkt sich die Ausrichtung der C-Ebene (0001) auf die Leistung des Substrats aus?
A2: Die Ausrichtung der C-Ebene (0001) gewährleistet eine einheitliche Gitterstruktur, die ein gleichmäßiges epitaktisches Filmwachstum unterstützt und Oberflächendefekte minimiert. Diese Ausrichtung trägt zu geringeren Streuverlusten bei optischen Inspektionen bei und verbessert die Verarbeitungsgenauigkeit.

F3: Können die Waferabmessungen für eine bestimmte Gerätekompatibilität angepasst werden?
A3: Die Waferabmessungen können je nach Prozessanforderungen angepasst werden. Spezifische Anfragen bezüglich des Durchmessers oder der Dicke werden geprüft, um sicherzustellen, dass die kristallinen Wachstumsparameter und die Prozessgleichmäßigkeit innerhalb akzeptabler Grenzen bleiben. Eine Abstimmung mit dem technischen Team von SAM wird empfohlen.

Zusätzliche Informationen

Saphirsubstrate, die aus Aluminiumoxid (Al2O3) bestehen, werden aufgrund ihrer ausgezeichneten Wärmeleitfähigkeit und chemischen Inertheit häufig in der Halbleiterverarbeitung eingesetzt. Ihre einzigartigen kristallographischen Eigenschaften erleichtern die gleichmäßige Abscheidung von Epitaxieschichten, wodurch sie sich für hochpräzise Anwendungen eignen, bei denen die Oberflächenqualität entscheidend ist.

Jüngste Fortschritte bei der Kristallzüchtung und den Methoden der Oberflächenanalyse haben die Anwendbarkeit von Saphir-Wafern in der Elektronik und Optoelektronik erweitert. Diese Substrate dienen sowohl als strukturelle als auch als isolierende Komponenten und unterstützen die Miniaturisierung von Bauelementen und eine verbesserte Leistung in Hochtemperatur- und Hochfrequenzumgebungen.