AL10242 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x1 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm wird aus hochreinem Aluminiumoxid (Al2O3) mit einer bestätigten (0001) Orientierung hergestellt und bietet eine atomar glatte Oberfläche. Die Abmessungen von 10x10 mm und die Dicke von 1 mm gewährleisten die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterbearbeitungsanlagen. Die geringe Oberflächendefektdichte und die präzise Kristallausrichtung erleichtern die nachfolgenden Abscheidungsprozesse und die Genauigkeit der Bauelementeherstellung.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x1 mm Anwendungen

1.
Elektronik
- Verwendung als Substrat in Halbleiterbauelementen, um eine kontrollierte Schichtabscheidung zu erreichen, indem die einheitliche Ausrichtung der C-Ebene (0001) des Wafers genutzt wird.
- Verwendung als Basis für Dünnschichttransistoren in Anzeigesystemen, um die Einheitlichkeit der Schichten aufrechtzuerhalten und die Leistung der Geräte zu verbessern.

2.
Industriell
- Verwendung als Isolierschicht in Hochtemperatur-Sensormodulen zur Verringerung von Wärmeausdehnungsfehlern durch Ausnutzung der stabilen Al2O3-Zusammensetzung.
- Anwendung bei der Herstellung optischer Präzisionskomponenten zur Unterstützung der genauen Ausrichtung und Minimierung der Oberflächenstreuung aufgrund der geringen Defektdichte.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x1 mm Verpackung

Der Wafer wird in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Halter in einem versiegelten Behälter verpackt, um ihn vor physischen Schäden und Verunreinigungen zu schützen. Er wird unter kontrollierten, trockenen Bedingungen bei Raumtemperatur gelagert, um feuchtigkeitsbedingten Abbau zu verhindern. Kundenspezifische Verpackungslösungen, einschließlich vakuumversiegelter Beutel und chargenspezifischer Etikettierung, sind erhältlich, um speziellen Handhabungs- und Transportanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welchen Einfluss hat die Ausrichtung der C-Ebene (0001) auf die Herstellung von Bauteilen?
A1: Die C-Ebenen-Orientierung (0001) bietet eine atomar glatte Oberfläche, die die Haftung des Dünnfilms verbessert und die Streuung während der Abscheidung verringert, was die Gesamtleistung der Bauelemente verbessert.

F2: Welchen Einfluss haben die Waferabmessungen auf die Integration in bestehende Verarbeitungsanlagen?
A2: Die standardisierte Größe von 10x10 mm und die Dicke von 1 mm gewährleisten die Kompatibilität mit gängigen Halbleiterverarbeitungsanlagen und erleichtern die effiziente Handhabung bei der Herstellung und Ausrichtung in verschiedenen Abscheidungssystemen.

Q3: Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden während der Waferproduktion durchgeführt?
A3: Der Wafer wird einer strengen Inspektion unterzogen, einschließlich Rasterkraftmikroskopie und optischer Auswertung, um die Oberflächenrauhigkeit zu bewerten und Mikrodefekte zu erkennen, wodurch die Konsistenz der Substrateigenschaften gewährleistet wird.

Zusätzliche Informationen

Saphirwafer, die aus Al2O3 bestehen, werden in der Materialwissenschaft wegen ihrer hervorragenden thermischen und chemischen Beständigkeit geschätzt. Ihre Struktur ermöglicht eine präzise Kontrolle der Oberflächenmorphologie, die für Hochleistungsgeräte in Elektronik und Optik entscheidend ist. Forscher nutzen diese Substrate aufgrund ihrer stabilen kristallinen Eigenschaften häufig für Studien zur fortgeschrittenen Schichtabscheidung.

Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Kristallorientierung und Materialeigenschaften bietet aufschlussreiche Vorteile bei der Substratauswahl für verschiedene Anwendungen. Durch Fortschritte bei den Abscheidetechniken und der Oberflächenanalyse werden die Leistungsmerkmale von Saphirwafern weiter verbessert, was sich auf eine Reihe von Technologiebereichen von der Mikroelektronik bis zur Photonik auswirkt.