AL10241 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 5x5x0,5 mm

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 5x5x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 5x5x0,5 mm wird aus einkristallinem Aluminiumoxid (Al2O3) hergestellt und weist eine (0001)-Orientierung auf. Die Abmessungen von 5 mm x 5 mm und die Dicke von 0,5 mm unterstützen die Integration in Halbleiter- und optische Montageprozesse. Die definierte kristallografische Ausrichtung gewährleistet eine glatte Oberfläche und eine geringe Versetzungsdichte. Das Produkt zeichnet sich durch kontrollierte Wachstumsbedingungen aus, was durch Röntgenbeugung und Oberflächenprofilometrie bestätigt wird.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 5x5x0,5 mm Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als Substrat in integrierten Schaltkreisen zur Erzielung einheitlicher dielektrischer Eigenschaften durch Nutzung der präzisen kristallographischen Ausrichtung und der flachen Oberfläche.
- Anwendung als Isolierschicht in mikroelektronischen Geräten zur Minimierung elektrischer Interferenzen durch die stabile Al2O3-Struktur.

2.optik
- Dient als optisches Fenster in Lasersystemen, um durch seine geringe Defektdichte Klarheit und Konsistenz zu erhalten.
- Wird in photonischen Geräten als Basismaterial verwendet, um Streuverluste zu verringern und die Gesamtleistung der Geräte zu verbessern.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 5x5x0,5 mm Verpackung

Jeder Saphir-Wafer wird einzeln in einem antistatischen Beutel versiegelt und in einen gepolsterten Behälter gelegt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Die Verpackung enthält Schaumstoffeinlagen, um das Eindringen von Partikeln zu begrenzen. Die Lagerung erfolgt in einer temperatur- und feuchtigkeitskontrollierten Umgebung, um die Integrität des Materials zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich zusätzlicher Etikettierung und Unterteilung in Fächer, sind erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Lagerungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welchen Einfluss hat die Ausrichtung der C-Ebene auf die Verarbeitung der Wafer?
A1: Die Ausrichtung der C-Ebene (0001) sorgt für eine einheitliche und atomar glatte Oberfläche, die durch die Verringerung der Versetzungsdichte präzise Lithografie- und Abscheidungsprozesse unterstützt. Diese Ausrichtung sorgt für Konsistenz in den nachfolgenden Schritten der Bauelementeherstellung.

F2: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden während der Waferproduktion durchgeführt?
A2: Die Qualitätskontrolle umfasst die Röntgenbeugung (XRD) zur Überprüfung der kristallografischen Ausrichtung und die Oberflächenprofilometrie zur Beurteilung der Ebenheit und des Defektniveaus. Diese Tests bestätigen, dass der Wafer die strengen Spezifikationen erfüllt, die für Halbleiteranwendungen erforderlich sind.

F3: Ist es möglich, die Abmessungen oder die Dicke des Wafers individuell anzupassen?
A3: Je nach Produktionskapazitäten sind kundenspezifische Anpassungen möglich. Spezifische Abmessungen oder Dickenanpassungen erfordern eine Diskussion über die Durchführbarkeit des Prozesses und die damit verbundenen Änderungen der Qualitätskontrolle.

Zusätzliche Informationen

Saphir, eine Form von einkristallinem Al2O3, spielt aufgrund seiner chemischen Inertheit, hohen thermischen Stabilität und ausgezeichneten elektrischen Isolationseigenschaften eine wichtige Rolle in der Materialwissenschaft. Seine harte und stabile Struktur macht ihn zu einem attraktiven Substrat für hochpräzise Anwendungen in der Halbleiter- und Optikindustrie.

Das Verständnis der Auswirkungen der kristallografischen Ausrichtung von Saphirwafern ist für die Optimierung der Leistung von Bauelementen von entscheidender Bedeutung. Detaillierte Charakterisierungsmethoden wie XRD und Oberflächenprofilometrie stellen sicher, dass diese Substrate die strengen Standards erfüllen, die für fortschrittliche Herstellungsprozesse erforderlich sind.