AL10240 Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,5 mm Beschreibung

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,5 mm besteht aus einem einkristallinen Al2O3-Substrat mit einer präzisen (0001) Ausrichtung. Seine Abmessungen ermöglichen die Integration in Standard-Halbleiterfertigungsanlagen. Die inhärente chemische Inertheit und thermische Stabilität von Saphir machen ihn zu einer wirksamen Barriere gegen Oxidation. Die gleichmäßige Dicke des Wafers und die gut polierte Oberfläche ermöglichen eine kontrollierte Verarbeitung der Bauelemente und eine genaue Leistungsbewertung in fortschrittlichen Anwendungen.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,5 mm Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Substrat in der LED-Fertigung, um eine gleichmäßige Wärmeableitung durch Ausnutzung der hohen Wärmeleitfähigkeit von Saphir zu erreichen.
- Verwendung als Basismaterial in Leistungshalbleitern zur Erzielung einer stabilen elektrischen Leistung durch Ausnutzung seiner chemischen Inertheit.

Optoelektronik
- Einsatz als Komponente in Laserdiodenbaugruppen zur Erzielung minimaler optischer Streuung durch Ausnutzung der glatten, defektfreien Oberfläche.
- Wird in optischen Sensorsystemen eingesetzt, um eine genaue Signalübertragung zu erreichen, indem die stabile kristallographische Struktur des Materials genutzt wird.

Saphir-Wafer Al2O3 C-Ebene (0001) 10x10x0,5 mm Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen, starren Behälter mit gepolsterten Einsätzen verpackt, um mechanische Beschädigungen zu verhindern und die Verunreinigung durch Partikel zu minimieren. Er wird unter kontrollierten Temperatur- und Feuchtigkeitsbedingungen gelagert, um die Oberflächenintegrität zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich Feuchtigkeitsbarrierebeutel und Einzelversiegelung, sind erhältlich, um spezifische Handhabungsanforderungen während des Transports und der Lagerung zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Vorteile bietet die C-Ebenen-Ausrichtung (0001)?
A1: Die (0001)-Ausrichtung bietet eine einheitliche Anordnung der Atome, die kontrollierte Prozesse bei der Herstellung von Bauteilen erleichtert. Diese Einheitlichkeit gewährleistet eine gleichmäßige Oberfläche für die anschließende Dünnschichtabscheidung und Strukturierung und verringert die Variabilität bei Hochtemperaturprozessen.

F2: Wie sollte der Wafer gehandhabt werden, um seine Oberflächenintegrität zu erhalten?
A2: Der Wafer sollte mit nicht-abrasiven Werkzeugen behandelt werden, und es sollten antistatische Handschuhe getragen werden, um Oberflächenverunreinigungen und Mikrokratzer zu vermeiden. Er sollte in einer kontrollierten Umgebung mit geeigneten Lösungsmitteln gereinigt werden, um Rückstände auf der hochpolierten Oberfläche zu vermeiden.

F3: Gibt es spezielle Lagerungsbedingungen für diesen Wafer?
A3: Der Wafer sollte in einer sauberen, temperaturgeregelten Umgebung mit minimaler Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Die Verwendung eines antistatischen, versiegelten Behälters trägt dazu bei, Verunreinigungen durch Partikel und mechanische Beanspruchung zu vermeiden und die Struktur- und Oberflächeneigenschaften des Wafers zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Saphir ist eine kristalline Form von Aluminiumoxid (Al2O3), die für ihre geringe Defektdichte und hohe thermische Stabilität bekannt ist. Aufgrund dieser Eigenschaften wird es häufig als Substrat für die Verarbeitung von Hochtemperaturgeräten und für optoelektronische Anwendungen verwendet. Seine chemische Inertheit bietet auch eine stabile Plattform für nachfolgende Abscheidungsschichten bei der Halbleiterherstellung.

Die kontrollierte Synthese und Qualitätsüberwachung von Saphirwafern hat sich mit Fortschritten bei der chemischen Gasphasenabscheidung und der Oberflächenmesstechnik erheblich weiterentwickelt. Diese Verbesserungen ermöglichen eine präzise Kontrolle der kristallografischen Ausrichtung und der Oberflächenbeschaffenheit, die für Anwendungen in elektronischen und optischen Geräten von entscheidender Bedeutung sind, um sicherzustellen, dass das Material die strengen Integrationsanforderungen erfüllt.