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IF5687 (Abgesetzt) 1100C Kompakter atmosphärengesteuerter RTP-Ofen OTF-1200X-4-RTP

Eingestellt IF5687 (Abgesetzt) 1100C Kompakter atmosphärengesteuerter RTP-Ofen OTF-1200X-4-RTP

Katalog-Nr.	IF5687
Artikel Nummer	OTF-1200X-4-RTP
Betriebstemperatur	1000℃ kontinuierlich
Betriebstemperatur	≤ 1100℃, ≤1Stunde

Abgesetzt

1100C Compact Atmosphere Controlled RTP Furnace ist ein kompakter Rohrofen für die schnelle thermische Verarbeitung, der mit einem 4" I.D. Quarzverarbeitungsrohr und Vakuumflanschen ausgestattet ist. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung von qualitativ hochwertigen kompakten Rohröfen.

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Kompakter atmosphärengesteuerter RTP-Ofen 1100C OTF-1200X-4-RTP Beschreibung

Der1100C Compact Atmosphere Controlled RTP Furnace ist ein kompakter Röhrenofen für die schnelle thermische Bearbeitung, der mit einem 4" I.D. Quarzbearbeitungsrohr und Vakuumflanschen ausgestattet ist. Dieser Ofen wurde speziell für das Ausglühen von Halbleiterwafern oder Solarzellen mit einem Durchmesser von bis zu 3" entwickelt und bietet präzise thermische Verarbeitungsmöglichkeiten.

Der OTF-1200X-RTP-4 wird von 8 Einheiten mit 1-kW-Halogenlampen beheizt und hat eine maximale Heizrate von 50 °C/Sekunde. Ein 50-Segment-Präzisions-Temperaturregler mit einer Genauigkeit von +/-1°C ist in den Ofen integriert und ermöglicht eine präzise Steuerung des Aufheizens, Verweilens und Abkühlens bei verschiedenen Prozessschritten.

1100C Kompakter atmosphärengesteuerter RTP-Ofen OTF-1200X-4-RTP Spezifikationen

Merkmale	Doppellagiges Stahlgehäuse mit Luftkühlung hält die Oberflächentemperatur des Ofens unter 60°C. Hochreine Aluminiumoxid-Faserisolierung für maximale Energieeinsparung. Geteilter Deckel mit Interlock-Schutz, der die Stromzufuhr unterbricht, wenn der Deckel während des Heizvorgangs geöffnet wird.
Arbeitstemperatur	Max. Heiztemperatur: 1100℃ (< 10 min) 1000℃, (<20 min) 800℃, (<120 min) Kontinuierliche Betriebstemperatur: ≤600℃
Grundlegende Parameter	Heizelement: Thermoelement Typ K Durchflussmenge des zirkulierenden Wassers: 0,5 m3/h Standard-Durchflussmessbereich: 16-160 ml/min Digitales Vakuummeter: ^10-4 bis 1000 Torr
Leistung	208-240V AC, 12 KW, 50/60 Hz
Temperaturregelung	FA-YD808P-AG Temperaturregler ist im Lieferumfang enthalten. Proportional-Integral-Differenzial-Regelung (PID-Regelung) und Auto-Tune-Funktion 50 Segmente mit Rampen-, Kühl- und Verweilstufen programmiert Eingebauter Übertemperaturalarm und Alarm bei Ausfall des Thermoelementes Temperaturregelungsgenauigkeit +/- 1 ºC Standard-DB9-Kommunikationsanschluss für PC
Quarzrohr & Probenhalter	Größe des Quarzrohrs: 4.33" O.D x 4.05" I.D x 16.2" Länge. Ein AlN-Probenhalter mit 3" Durchmesser zum Glühen von Proben mit einem Durchmesser von bis zu 3" ist im Lieferumfang enthalten. (AlN hat eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit, die die beste Temperaturgleichmäßigkeit im Probenbereich gewährleistet. Der Probenhalter ist vom Flansch abnehmbar, um den RTP-Ofen für andere Zwecke zu verwenden). Optional: 3'' O.D. Dickes Graphitsubstrat (eine Alternative zur AIN-Platte) Wahlweise: Graphittiegel (87 mm Außendurchmesser x 71 mm Innendurchmesser x 12 mm Höhe mit Deckel) ist für den 3"-Probenhalter ausgelegt (Der Tiegel kann auch zu einem RTE-, CSS- oder HPCVD-Ofen mit einem mit SiC beschichteten Graphittiegel umgebaut werden.
Gesamtabmessungen	Flansch (in geschlossenem Zustand): 1350 L * 330 B * 590 H mm Flansch (offen): 1350 L * 520 B * 740 H mm Größe des Ofens: φ180*190mm
Netto Gewicht	70 kg
Garantie	Ein Jahr beschränkte Garantie mit lebenslangem Support. ACHTUNG: Schäden, die durch die Verwendung von korrosiven und säurehaltigen Gasen verursacht werden, fallen nicht unter die einjährige eingeschränkte SAM-Garantie.
Bescheinigung	CE-zertifiziert Eine NRTL- oder CSA-Zertifizierung ist gegen Aufpreis erhältlich.

1100C Kompakter atmosphärengesteuerter RTP-Ofen OTF-1200X-4-RTP Anwendungen

Halbleiterherstellung: Für die Herstellung von Halbleiterbauteilen wie Siliziumwafern, MEMS (Mikro-Elektro-Mechanische Systeme) und Photovoltaikzellen. Vertikale Öfen werden für Prozesse wie Oxidation, Diffusion, LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) und Ausglühen eingesetzt.
Dünnschichtabscheidung: Wird für die Abscheidung dünner Schichten auf Substraten mit Techniken wie CVD (Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) und ALD (Atomic Layer Deposition) verwendet. Vertikale Öfen bieten eine kontrollierte Umgebung für eine präzise Kontrolle der Schichtdicke und -zusammensetzung.
Herstellung von Solarzellen: Anwendung bei der Herstellung von Solarzellen und Photovoltaikmodulen. Vertikalöfen werden für Prozesse wie Diffusion, Abscheidung von Antireflexionsschichten und Metallisierung verwendet, um die Effizienz und Leistung von Solarzellen zu verbessern.

Kompakter atmosphärengesteuerter RTP-Ofen 1100C OTF-1200X-4-RTP Verpackung

Unser 1100C Compact Atmosphere Controlled RTP Furnace OTF-1200X-4-RTP wird während der Lagerung und des Transports sorgfältig behandelt, um die Qualität unseres Produkts in seinem ursprünglichen Zustand zu erhalten.

Spezifikation

Merkmale	Doppellagiges Stahlgehäuse mit Luftkühlung hält die Oberflächentemperatur des Ofens unter 60°C. Hochreine Aluminiumoxidfaser-Isolierung für maximale Energieeinsparung. Geteilter Deckel mit Interlock-Schutz, der die Stromzufuhr unterbricht, wenn der Deckel während des Heizvorgangs geöffnet wird.
Arbeitstemperatur	Max. Heiztemperatur: 1100℃ (< 10 min) 1000℃, (<20 min) 800℃, (<120 min) Kontinuierliche Betriebstemperatur: ≤600℃
Grundlegende Parameter	Heizelement: Thermoelement Typ K Durchflussmenge des zirkulierenden Wassers: 0,5 m3/h Standard-Durchflussmessbereich: 16-160 ml/min Digitales Vakuummeter: ^10-4 bis 1000 Torr
Leistung	208-240V AC, 12 KW, 50/60 Hz
Temperaturregelung	FA-YD808P-AG Temperaturregler ist im Lieferumfang enthalten. Proportional-Integral-Differenzial-Regelung (PID-Regelung) und Auto-Tune-Funktion 50 Segmente mit Rampen-, Kühl- und Verweilstufen programmiert Eingebauter Übertemperaturalarm und Alarm bei Ausfall des Thermoelementes Temperaturregelungsgenauigkeit +/- 1 ºC Standard-DB9-Kommunikationsanschluss für PC
Quarzrohr & Probenhalter	Größe des Quarzrohrs: 4.33" O.D x 4.05" I.D x 16.2" Länge. Ein AlN-Probenhalter mit 3" Durchmesser zum Glühen von Proben mit einem Durchmesser von bis zu 3" ist im Lieferumfang enthalten. (AlN hat eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit, die die beste Temperaturgleichmäßigkeit im Probenbereich gewährleistet. Der Probenhalter ist vom Flansch abnehmbar, um den RTP-Ofen für andere Zwecke zu verwenden). Optional: 3'' O.D. Dickes Graphitsubstrat (eine Alternative zur AIN-Platte) Wahlweise: Graphittiegel (87 mm Außendurchmesser x 71 mm Innendurchmesser x 12 mm Höhe mit Deckel) ist für den 3"-Probenhalter ausgelegt (Der Tiegel kann auch zu einem RTE-, CSS- oder HPCVD-Ofen mit einem mit SiC beschichteten Graphittiegel umgebaut werden.
Gesamtabmessungen	Flansch (in geschlossenem Zustand): 1350 L * 330 B * 590 H mm Flansch (offen): 1350 L * 520 B * 740 H mm Größe des Ofens: φ180*190mm
Netto Gewicht	70 kg
Garantie	Ein Jahr beschränkte Garantie mit lebenslangem Support. ACHTUNG: Schäden, die durch die Verwendung von korrosiven und säurehaltigen Gasen verursacht werden, fallen nicht unter die einjährige eingeschränkte SAM-Garantie.
Bescheinigung	CE-zertifiziert Eine NRTL- oder CSA-Zertifizierung ist gegen Aufpreis erhältlich.

*Die oben genannten Produktinformationen basieren auf theoretischen Daten und dienen nur als Richtwert. Die tatsächlichen Spezifikationen können abweichen.

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