GA2156 Galliumantimonid-Einkristall-Substrat (GaSb)

Katalog-Nr.	GA2156
Reinheit	99.99%
Molekulare Formel	GaSb
Durchmesser	2", 3", 4"
Dicke	500±25 μm, 600±25 μm, 800±25μm
Orientierung	(100) / (111) ±0.5°

Stanford Advanced Materials (SAM) bietet Einkristall-GaSb-Substrate an und bietet seinen Kunden die größte Auswahl an GaSb-Materialien mit sehr gleichmäßigen elektrischen Eigenschaften und ausgezeichneter Oberflächenqualität.

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CAS-Nummer	12064-03-8
Molekulare Formel	GaSb
Molekulares Gewicht	191.48
Erscheinungsbild	Einkristallines Substrat
Dichte	5,619 g/ml
Schmelzpunkt	710°C
Geruch	Geruchlos

Durchmesser	2"	3"	4"
Mobilität (cm2V-1S-1)	600-700
Ladungsträgerkonzentration (cm-3)	(1-2)* ¹⁰¹⁷
Durchmesser (mm)	50.5±0.5	76.2±0.5	100.0±0.5
Dicke (μm)	500±25	600±25	800±25
Ausrichtung	(100) / (111) ±0.5°
Primäre flache Länge (mm)	16±2	22±2	32.5±2
Sekundäre Positionierkantenlänge (mm)	8±1	11±1	18±1
TTV(μm)	<10	<10	<20
Bogen(μm)	<10	<10	<20
Kettung(μm)	<15	<15	<20

Symbol	GHS07, GHS09
Signalwort	Warnung
Gefahrenhinweise	H302 + H332-H411
Sicherheitshinweise	P273
Persönliche Schutzausrüstung	Staubmaske Typ N95 (US), Augenschutz, Handschuhe
RIDADR	UN 3077 9 / PGIII
WGK Deutschland	2

CAS-Nummer	12064-03-8
Molekulare Formel	GaSb
Molekulargewicht	191.48
Erscheinungsbild	Einkristallines Substrat
Dichte	5,619 g/ml
Schmelzpunkt	710°C
Geruch	Geruchlos

GA2156 Galliumantimonid-Einkristall-Substrat (GaSb)

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