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Stanford Advanced Materials
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  • CY4004 GaGeTe-Kristall

    • CY4004 GaGeTe-Kristall

    Katalog-Nr. CY4004
    Material GaGeTe
    Kristall Größe 3-4 mm
    Bandlücke 0,2eV
    Synthetische Methode CVT
    Reinheit >99,999%

    GaGeTe-Kristall ist ein Schichtkristall mit einer einzigartigen Kristallstruktur und interessanten elektronischen Eigenschaften. Stanford Advanced Materials (SAM) verfügt über reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung hochwertiger Halbleiterprodukte.

    Verwandte Produkte: SiTe2 Kristall, ZrGeTe4 Kristall, In2Se3 Kristall

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    NN0246 Nano-Wismut-Pulver (Bi) (CAS-Nr. 7440-69-9)
    GR0396 Graphen-Nanopulver: Durchmesser 100nm
    GR0398 Graphen-Nanopulver: Durchmesser ~5μm
    GR0903 CVD-Graphen
    SC0957 Siliziumkarbid-Tabletts (SiC-Tabletts)
    BC0968 Berylliumoxid-Keramik-Kühlkörper, BeO
    BC0970 Berylliumoxid-Keramiksubstrate, BeO
    BS1109 Wismutmetall (CAS-Nr. 7782-49-2)
    CD1110 Cadmium-Metall (Cd-Metall) (CAS-Nr.7440-43-9)

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