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  • Hochgradig mit 28Si angereichertes Silizium durch örtlich fokussierte Ionenstrahlimplantation

    • Hochgradig mit 28Si angereichertes Silizium durch örtlich fokussierte Ionenstrahlimplantation

    Titel Hochgradig mit 28Si angereichertes Silizium durch örtlich fokussierte Ionenstrahlimplantation
    Autoren Ravi Acharya, Maddison Coke, Mason Adshead, Kexue Li, Barat Achinuq, Rongsheng Cai, A. Baset Gholizadeh, Janet Jacobs, Jessica L. Boland, Sarah J. Haigh, Katie L. Moore, David N. Jamieson, Richard J. Curry
    Zeitschrift Kommunikationsmaterialien
    Datum 05/07/2024
    DOI 10.1038/s43246-024-00498-0
    Einführung Festkörper-Spin-Qubits in Siliziumkristallen bei Millikelvin-Temperaturen sind vielversprechend für skalierbare Quantencomputer. Natürlich vorkommendes Silizium begrenzt die Kohärenz von Qubits aufgrund des Kernspins des Isotops 29Si. In dieser Studie wird eine Methode zur Reduzierung von 29Si in lokalen Silizium-Wafer-Regionen unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahls von 45 keV 28Si mit hoher Fluenz vorgestellt. Die Analyse mittels Sekundärionen-Massenspektrometrie im Nanobereich zeigt eine signifikante Verringerung der 29Si-Konzentration und vergleichbare C- und O-Restwerte wie bei nicht implantierten Wafern. Nach dem Glühen bestätigt die Transmissionselektronenmikroskopie die epitaktische Rekristallisation der amorphen, angereicherten Schicht in fester Phase, die sich über 200 nm in die Tiefe erstreckt.
    Zitat Ravi Acharya, Maddison Coke und Mason Adshead et al. Hochgradig mit 28Si angereichertes Silizium durch lokalisierte fokussierte Ionenstrahlimplantation. Commun Mater. 2024. Vol. 5(1). DOI: 10.1038/s43246-024-00498-0
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