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  • CY3451 Cu-beschichtete Ta/SiO2-Silizium-Wafer

    • CY3451 Cu-beschichtete Ta/SiO2-Silizium-Wafer

    Katalog-Nr. CY3451
    Zusammensetzung (kubisch) Cu, Ta, SiO2
    Reinheit ＞99.99%
    Größe 2, 4, 6, 8, 12" Durchmesser 0,525mm Dicke
    Orientierung Cu

    Cu-beschichtete Ta/SiO2-Silizium-Wafer können im Nanobereich, in der Rasterelektronenmikroskopie (SEM), der Rasterkraftmikroskopie (AFM) und anderen Rastersondenmikroskopen verwendet werden. Stanford Advanced Materials (SAM) hat reiche Erfahrung in der Herstellung und Lieferung von hochwertigen optischen Produkten.

    Verwandte Produkte: Ti-beschichtetes SiO2/Si-Substrat, Ni-beschichtetes SiO2/Si-Substrat, vergoldete Silizium-Wafer, Pt-beschichtete Silizium-Wafer, Ag-beschichtete Silizium-Wafer

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