CY2538 Bismut-Tellurid (Bi2Te3) Hochgradig orientierte Kristallsubstrate

Katalog-Nr.	CY2538
Abmessungen	unregelmäßig, etwa 5x5x0,1 mm, 10x10x0,1 mm
Material	Bi2Te3
Orientierung	Hochgradig orientierte Schichtstruktur entlang
Wachstumsmethode	Vertikaler Hochdruck-Brückenhalter

Hochorientierte Bismut-Tellurid-Kristallsubstrate (Bi2Te3 ) sind aufgrund ihrer einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften in der Industrie weit verbreitet. Stanford Advanced Materials (SAM) kann eine Vielzahl von Größen von hochorientierten Bismut-Tellurid (Bi2Te3) Kristallsubstraten anbieten.

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CY2538 Bismuth Telluride (Bi2Te3) Single Crystal Substrates

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Bismut-Tellurid (Bi2Te3) Hochorientierte Kristallsubstrate
Kristallstruktur	Hexagonal, Gruppe 166， R-3M
Gewachsenes Verfahren	Vertikales Hochdruck-Bridgman-Verfahren
Gitterkonstante	a=4,38A c=30,5A
Oberfläche	wie gespalten
Reinheit	99,999%, Atomverhältnis
Schmelzpunkt	585 oC
Widerstandswert	0,1-5 mohm. cm
Mobilität	3000 cm2 / V.s
Verpackung	verpackt in einem Plastikbeutel mit einem Vakuum

Hochorientierte Kristallsubstrate aus Bismuttellurid (Bi2Te3)
Kristallstruktur	Hexagonal, Gruppe 166， R-3M
Gewachsenes Verfahren	Vertikales Hochdruck-Bridgman-Verfahren
Gitterkonstante	a=4,38A c=30,5A
Oberfläche	wie gespalten
Reinheit	99,999%, Atomverhältnis
Schmelzpunkt	585 oC
Widerstandswert	0,1-5 mohm. cm
Mobilität	3000 cm2 / V.s
Verpackung	verpackt in einem Plastikbeutel mit einem Vakuum

CY2538 Bismut-Tellurid (Bi2Te3) Hochgradig orientierte Kristallsubstrate

Hochgradig orientierte Bismut-Tellurid-Kristallsubstrate (Bi2Te3) Beschreibung

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