GR5855 CVD-Monolayer-Graphen auf SiO2-Substrat

Katalog-Nr.	GR5855
Größe	5cm*5cm
Material	SiO2 / Cu
Monolayer Inhalt	>99%

Monolayer Graphene on SiO2 Substrate bezieht sich auf ein spezielles Verfahren zur Synthese von Graphen, einer einzelnen Schicht aus Kohlenstoffatomen, die in einem hexagonalen Gitter angeordnet sind, auf einer Kupferoberfläche unter Verwendung chemischer Gasphasenabscheidungstechniken. Stanford Advanced Materials (SAM) ist in der Lage, Monolayer-Graphen mit hoher Reinheit und zu wettbewerbsfähigen Preisen zu liefern.

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Spezifikation der Graphenschicht
Wachstumsmethode	CVD (Chemische Abscheidung aus der Gasphase)
Erscheinungsbild	Transparent
Durchsichtigkeit	>97%
Bedeckung	>95%
Schichtdicke (theoretisch)	0,345 nm
AFM-Dicke	<1 nm
Elektronenbeweglichkeit auf SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Schichtwiderstand auf SiO2/Si	350±40 Ohm/sq (1cm x1cm)
Korngröße	bis zu 20 μm
Cu-Foliendicke	18 μm
Rauheit	~80 nm
Trägermaterial SiO2/Si
Trockene Oxiddicke	90 nm (±5%)
Typ/Dotierstoff	P/B
Ausrichtung	<100>
Vordere Oberfläche	Poliert
Dielektrizitätskonstante der SiO2-Schicht	3.9

Spezifikation des Graphenfilms
Wachstumsmethode	CVD (Chemische Abscheidung aus der Gasphase)
Erscheinungsbild	Transparent
Durchsichtigkeit	>97%
Bedeckung	>95%
Schichtdicke (theoretisch)	0,345 nm
AFM-Dicke	<1 nm
Elektronenbeweglichkeit auf SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Schichtwiderstand auf SiO2/Si	350±40 Ohm/sq (1cm x1cm)
Korngröße	bis zu 20 μm
Cu-Foliendicke	18 μm
Rauheit	~80 nm
Trägermaterial SiO2/Si
Trockene Oxiddicke	90 nm (±5%)
Typ/Dotierstoff	P/B
Ausrichtung	<100>
Vordere Oberfläche	Poliert
Dielektrizitätskonstante der SiO2-Schicht	3.9

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