AL2804 Aluminiumselenid (Al2Se3) Pulver (CAS 1302-82-5)

Aluminiumselenid (CAS 1302-82-5) Beschreibung

Aluminiumselenid (CAS-Nr. 1302-82-5) ist die chemische Verbindung Al2Se3 und wurde als Vorläufer von Selenwasserstoff verwendet, der freigesetzt wird, wenn der Feststoff mit Säuren behandelt wird. Es sollte vor Feuchtigkeit und Luft geschützt gelagert werden, da es hydrolytisch instabil ist. Heterostrukturen, die III-VI-Halbleiter mit Silizium kombinieren, haben aufgrund ihrer engen Gitteranpassung und ihrer vielversprechenden optoelektronischen Eigenschaften Aufmerksamkeit erregt (Fritsche et al. 2002, Ueno et al. 2002, Zheng et al. 1996). Al2Se3 ist das am wenigsten untersuchte Chalkogenid der Gruppe III-VI (Schneider und Gattow 1954) im Vergleich zu anderen Mitgliedern der III-VI-Halbleiterfamilie.

Aluminiumselenid (CAS 1302-82-5) Spezifikationen

Aluminiumselenid (CAS 1302-82-5) Anwendungen

Aluminiumselenid (CAS-Nr. 1302-82-5) wurde als Vorläufer von Selenwasserstoff verwendet, der bei der Behandlung des Feststoffs mit Säuren freigesetzt wird.

Darüber hinaus sind Halbleiter auf der Grundlage von Verbindungen, die aus Elementen der Gruppen III und VI bestehen, wie z. B. Aluminiumselenid, sowohl aufgrund der physikalischen Eigenschaften, die mit den ihnen innewohnenden Leerstellenstrukturen verbunden sind, als auch aufgrund ihrer vielversprechenden Eignung als künftige Bauelementematerialien von Interesse. M2X3-Verbindungen (mit M=Al, Ga oder In und X=S, Se oder Te) weisen Strukturen auf, die auf der Zink-Blende- oder Wurtzit-Struktur von tetraedrisch gebundenen III-V- und II-VI-Halbleitern basieren, bei denen jedoch ein Drittel der Kationenplätze unbesetzt ist. Die inneren Leerstellen in den häufigsten Strukturen von Al2Se3, Ga2Se3 und In2Se3 sind entlang von Helices (auch für γ-In2Se3), Linien bzw. Ebenen lokalisiert. Dies macht M2X3-Materialien wie Aluminiumselenid zu interessanten Kandidaten für die Funktionalisierung durch die Anordnung von Leerstellen (z. B. durch Schaffung anisotroper optischer Eigenschaften) und/oder die Besetzung der Leerstellen durch zusätzliche Elemente (z. B. Übergangsmetalle). Die Gitterkonstanten von Ga2Se3 und Al2Se3 liegen nahe an denen von Si (0,1 bzw. 1,3 % Fehlanpassung), was die Möglichkeit eröffnet, die einzigartigen Eigenschaften dieser intrinsischen Leerstellenmaterialien mit der Siliziumtechnologie zu kombinieren.

Referenz

Chih-Yuan Lu, Jonathan A. Adams, Qiuming Yu, Taisuke Ohta, Marjorie A. Olmstead und Fumio S. Ohuchi: Heteroepitaxial Growth of the Intrinsic Vacancy Semiconductor Al2Se3 on Si(111): Anfangsstruktur und Morphologie. http://faculty.washington.edu/olmstd/research/papers/Lu_Al2Se3_Si111_preprint.pdf