AL1885 AlSiC Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Grundplatte

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Grundplatte Beschreibung

AlSiC wurde zum ersten Mal als Ersatz für Wolfram-Kupfer in Radarchips des US-Militärs verwendet. Nach dem Austausch ist die Wärmeableitung hervorragend, und der Gesamtgewichtsverlust des Radars beträgt 10 kg, was dem Aluminium-Siliziumkarbid-Material Aufmerksamkeit verschafft. IGBT-Module (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit hohen Strömen erzeugen während des Betriebs eine große Menge an Wärme. Für die Herstellung des IGBT-Substrats wird in der Regel das AlSiC-Material verwendet, und das Hochleistungs-IGBT-Modul ist fest verpackt, so dass der Chip bei Vibrationen, hohen Temperaturen und Staub eingesetzt werden kann. Die Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Grundplatte ist sehr leicht, sie wiegt nur ein Drittel des Kupfers, aber ihre Biegefestigkeit ist so gut wie die von Stahl. Dies macht sie zu einem hervorragenden seismischen Element, das das Kupfersubstrat übertrifft. Daher sind Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Grundplatten aufgrund ihrer einzigartigen Kombination aus hoher Wärmeleitfähigkeit, niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizienten und Biegefestigkeit in elektronischen Hochleistungsgehäusen unersetzliche Materialien.

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Grundplatte Spezifikation

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Basisplatte Anwendungen

DieAluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Grundplatte hat folgende Anwendungen:

-Haushaltsgeräte,
-Transportwesen,
-Energietechnik
-Erneuerbare Energie
-Intelligentes Stromnetz
-Verkehrssteuerung
-Energieumwandlung
-Industriemotoren
-Unterbrechungsfreie Stromversorgung
-Stromversorgung
-Wind- und Solaranlagen
-Frequenzumrichter für die automatische Steuerung

Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Grundplatte Verpackung

Wir verwenden die Vakuumversiegelung, um den Karton zu füllen und Stöße zu vermeiden. Es wird sehr sorgfältig darauf geachtet, dass die Aluminium-Siliziumkarbid-IGBT-Basisplatte während der Lagerung oder des Transports nicht beschädigt wird.