{{flagHref}}
Produkte
  • Produkte
  • Kategorien
  • Blog
  • Podcast
  • Anwendung
  • Dokument
|
/ {{languageFlag}}
Sprache auswählen
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Sprache auswählen
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
a

Mikroskopische Relaxationskanäle in Materialien für supraleitende Qubits

Titel Mikroskopische Relaxationskanäle in Materialien für supraleitende Qubits
Autoren Anjali Premkumar, Conan Weiland, Sooyeon Hwang, Berthold Jäck, Alexander P. M. Place, Iradwikanari Waluyo, Adrian Hunt, Valentina Bisogni, Jonathan Pelliciari, Andi Barbour, Mike S. Miller, Paola Russo, Fernando Camino, Kim Kisslinger, Xiao Tong, Mark S. Hybertsen, Andrew A. Houck, Ignace Jarrige
Zeitschrift Kommunikationsmaterialien
Datum 07/01/2021
DOI 10.1038/s43246-021-00174-7
Einführung Die Studie befasst sich mit der großen Herausforderung, die Materialfehler bei der Anwendung von supraleitenden Qubits darstellen. Durch die Korrelation der Relaxationszeiten von Transmon-Qubits mit den Eigenschaften polykristalliner Niob-Filme werden Zusammenhänge zwischen der Kohärenz von Qubits und intrinsischen Filmeigenschaften wie Korngröße, Sauerstoffdiffusion entlang der Korngrenzen und Oberflächensuboxidkonzentration aufgezeigt. Schichten, die mit unterschiedlichen Methoden abgeschieden wurden, zeigen, wie diese Faktoren die Leistung des Qubits beeinflussen. Es gibt Hinweise darauf, dass Defekte im Zwei-Niveau-System in Korngrenzen und Oberflächenoxiden liegen können. Das Restwiderstandsverhältnis der Filme erweist sich als Maßstab für die Bewertung der Langlebigkeit von Qubits und ebnet den Weg für die Steigerung der Leistung supraleitender Qubits durch Materialverbesserungen.
Zitat Anjali Premkumar, Conan Weiland und Sooyeon Hwang et al. Mikroskopische Relaxationskanäle in Materialien für supraleitende Qubits. Commun Mater. 2021. Vol. 2(1). DOI: 10.1038/s43246-021-00174-7
Element Niobium (Nb) , Sauerstoff (O)
Materialien Metalle und Legierungen , Oxide
Themen Abscheidungsprozesse
Industrie Elektronik
Verwandte Papiere
Laden... Bitte warten Sie...
Veröffentlichen Sie Ihre Forschung und Artikel auf der SAM-Website
Haftungsausschluss
Diese Seite stellt nur die Metadaten akademischer Arbeiten zur Verfügung, um den Nutzern das einfache Auffinden relevanter Informationen zu ermöglichen. Für den vollständigen Zugriff auf die Arbeiten verwenden Sie bitte den DOI, um die Website des ursprünglichen Verlags zu besuchen. Die Daten stammen aus öffentlich zugänglichen wissenschaftlichen Datenbanken und entsprechen den Nutzungsbedingungen dieser Plattformen. Falls Sie Bedenken hinsichtlich des Urheberrechts haben, kontaktieren Sie uns bitte. Wir werden diese umgehend bearbeiten.

Erfolg! Sie sind jetzt abonniert

Sie wurden erfolgreich abonniert! Schauen Sie bald in Ihren Posteingang, um tolle E-Mails von diesem Absender zu erhalten.
Hinterlassen Sie eine Nachricht
Hinterlassen Sie eine Nachricht
* Ihr Name:
* Ihre E-Mail:
* Produkt Name:
* Ihr Telefon:
* Kommentare: