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  • Ultraschneller Langzeitspeicher auf der Basis von gleitenden Ferroelektrika

    • Ultraschneller Langzeitspeicher auf der Basis von gleitenden Ferroelektrika

    Titel Ultraschneller Langzeitspeicher auf der Basis von gleitenden Ferroelektrika
    Autoren Kenji Yasuda, Evan Zalys-Geller, Xirui Wang, Daniel Bennett, Suraj S. Cheema, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Efthimios Kaxiras, Pablo Jarillo-Herrero, Raymond Ashoori
    Zeitschrift Wissenschaft
    Datum 07/05/2024
    DOI 10.1126/science.adp3575
    Einführung Die Fähigkeit von spannungsschaltbaren kollektiven elektronischen Phänomenen, auf atomarer Ebene zu bestehen, birgt ein großes Potenzial für kompakte und energieeffiziente Elektronik, insbesondere für die Entwicklung nichtflüchtiger Speicher. In dieser Studie werden die Eigenschaften eines ferroelektrischen Feldeffekttransistors (FeFET) untersucht, der die gleitende Ferroelektrizität in zweischichtigem Bornitrid bei Raumtemperatur nutzt. Die gleitende Ferroelektrizität bietet einen besonderen Mechanismus für atomar dünne zweidimensionale (2D) Ferroelektrika, der die Modulation der Polarisation außerhalb der Ebene durch Gleiten zwischen den Schichten beinhaltet. Das FeFET-Bauelement mit einem einlagigen Graphenkanal erreichte ultraschnelle Schaltvorgänge im Nanosekundenbereich und eine außergewöhnliche Lebensdauer von mehr als 10^11 Zyklen, was führenden FeFET-Technologien entspricht. Diese Eigenschaften unterstreichen den Nutzen von 2D-Gleitferroelektrika für die Weiterentwicklung künftiger nichtflüchtiger Speicheranwendungen.
    Zitat Kenji Yasuda, Evan Zalys-Geller und Xirui Wang et al. Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics. Wissenschaft. 2024. Vol. 385(6704):53-56. DOI: 10.1126/science.adp3575
    Element Bor (B) , Stickstoff (N) , Kohlenstoff (C)
    Themen Intelligente und funktionelle Materialien
    Industrie Elektronik
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