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  • Chemische Montage von atomar dünnen Transistoren und Schaltkreisen in großem Maßstab

    • Chemische Montage von atomar dünnen Transistoren und Schaltkreisen in großem Maßstab

    Titel Chemische Montage von atomar dünnen Transistoren und Schaltkreisen in großem Maßstab
    Autoren Mervin Zhao, Yu Ye, Yimo Han, Yang Xia, Hanyu Zhu, Siqi Wang, Yuan Wang, David A. Muller, Xiang Zhang
    Zeitschrift Natur Nanotechnologie
    Datum 07/11/2016
    DOI 10.1038/nnano.2016.115
    Einführung Die Entwicklung fortschrittlicher Elektronik erfordert neuartige Materialien, die die Fähigkeiten von Silizium übertreffen und eine verbesserte Funktionalität, Leistung und Miniaturisierung für integrierte Schaltungen bieten. Zweidimensionale Materialien, insbesondere lückenloses Graphen und halbleitende Übergangsmetall-Dichalcogenide, stellen aufgrund ihrer ultradünnen atomaren Struktur und ihrer robusten chemischen Stabilität überzeugende Alternativen dar. Dennoch ist die präzise räumliche Kontrolle bei der Herstellung dieser Materialien derzeit ein Hindernis für ihre praktische Integration in funktionelle Geräte. In dieser Studie wird die erfolgreiche großtechnische, räumlich kontrollierte Synthese von Heterostrukturen beschrieben, die einlagiges halbleitendes Molybdändisulfid in direktem Kontakt mit leitfähigem Graphen umfassen. Untersuchungen mittels Transmissionselektronenmikroskopie zeigen, dass sich das einlagige Molybdändisulfid bevorzugt an den Kanten des Graphens bildet. Wir zeigen, dass diese chemisch hergestellten atomaren Transistoren beeindruckende Leistungskennzahlen aufweisen, darunter eine hohe Transkonduktanz von 10 µS, ein On-Off-Verhältnis von etwa 10^6 und eine Mobilität von etwa 17 cm² V-¹ s-¹. Die inhärente Ortsselektivität dieser atomar dünnen leitenden und halbleitenden Kristalle erleichtert ihre Verwendung beim Aufbau zweidimensionaler logischer Schaltungen, wie ein NMOS-Inverter mit einer hohen Spannungsverstärkung von bis zu 70 zeigt.
    Zitat Mervin Zhao, Yu Ye und Yimo Han et al. Chemischer Aufbau von atomar dünnen Transistoren und Schaltkreisen in großem Maßstab. Nat Nanotechnol. 2016. Vol. 11(11):954-959. DOI: 10.1038/nnano.2016.115
    Element Kohlenstoff (C) , Molybdän (Mo) , Schwefel (S) , Silizium (Si)
    Industrie Elektronik
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