Beschreibung:
Silicium ist ein Metalloid und weist die typischen Eigenschaften von Metallen und Nichtmetallen auf. Es ist äußerst inert und unlöslich in Wasser und Säuren. Es kann jedoch durch heiße alkalische Laugen in Silikate aufgelöst werden. Reines Silicium bildet dunkelgraue, metallisch glänzende Kristalle. Silizium hat eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, die bei reinem Silizium mit einer extrem niedrigen elektrischen Leitfähigkeit einhergeht. Durch die Legierung mit Aluminium wird die Festigkeit erhöht und das Gewicht reduziert.
Hochreine Aufdampfmaterialien spielen bei Abscheidungsprozessen eine große Rolle, um eine hohe Qualität der abgeschiedenen Schicht zu gewährleisten. Stanford Advanced Materials (SAM) hat sich auf die Herstellung von Siliziumaufdampfmaterialien mit einem Reinheitsgrad von bis zu 99,999 % spezialisiert und wendet Qualitätssicherungsprozesse an, um die Zuverlässigkeit der Produkte zu gewährleisten.

Spezifikation
Werkstoff
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Silizium
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Atomares Gewicht
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28.0855
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Farbe/Erscheinungsbild
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Dunkelgrau mit bläulichem Schimmer, halbmetallisch
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Thermische Leitfähigkeit
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150 W/m.K
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Schmelzpunkt (°C)
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1,410
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Gesamtwiderstand
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0,005-0,020 OHM-CM
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Wärmeausdehnungskoeffizient
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2,6 x 10-6/K
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Theoretische Dichte (g/cc)
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2.32
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Z-Verhältnis
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0.712
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Temp. (°C) für gegebenen Vap. Druck. (Torr)
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10^-8: 992 10^-6: 1,147 10^-4: 1,337
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Anwendungen
1. Optische Beschichtungen: Undotierte Siliziumaufdampfmaterialien werden häufig für die Abscheidung optischer Beschichtungen verwendet. Diese Beschichtungen können die optischen Eigenschaften von Oberflächen verbessern, z. B. das Reflexionsvermögen, die Durchlässigkeit oder die Absorption, je nach der gewünschten Anwendung. Siliziumbeschichtungen sind besonders nützlich in optischen Systemen, Lasern und anderen Geräten, bei denen eine präzise Steuerung der Lichtinteraktion entscheidend ist.
2. Dünnschicht-Transistoren: Bei der Herstellung von Dünnschichttransistoren (TFTs) werden undotierte Siliziumaufdampfmaterialien verwendet, um Siliziumschichten auf Substrate aufzubringen. TFTs werden häufig in Bildschirmen wie Flüssigkristallanzeigen (LCDs) und organischen Leuchtdioden (OLEDs) verwendet, wo sie den Stromfluss durch die Bildpunkte steuern.
3. Herstellung von Halbleiterbauelementen: Obwohl undotiertes Silizium nicht direkt zur Dotierung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, kann es als Ausgangsmaterial für nachfolgende Dotierungsprozesse dienen. Es kann auch zur Abscheidung von Isolierschichten oder als Schutzschicht in Halbleiterbauelementen verwendet werden.
4. Herstellung von Solarzellen: Während bei der Herstellung von Solarzellen in der Regel dotiertes Silizium verwendet wird, können auch undotierte Siliziumverdampfungsmaterialien eine Rolle spielen. Sie können zur Abscheidung dünner Filme oder Schichten verwendet werden, die als Schutzschichten, Antireflexionsschichten oder als Teil der Solarzellenstruktur dienen.
5. Forschung und Entwicklung: In der Forschung und Entwicklung sind undotierte Siliziumaufdampfmaterialien von unschätzbarem Wert. Wissenschaftler und Ingenieure können sie nutzen, um neue Materialeigenschaften zu erforschen, neue Gerätestrukturen zu entwickeln und grundlegende physikalische Phänomene im Zusammenhang mit Silizium zu untersuchen.
Verpackung:
Unsere Verdampfungsmaterialien werden sorgfältig behandelt, um Schäden während der Lagerung und des Transports zu vermeiden und die Qualität unserer Produkte in ihrem ursprünglichen Zustand zu erhalten.