GR5854 CVD-Monolayer-Graphen auf Cu/Kupfer-Substrat

Katalog-Nr.	GR5854
Abmessungen	5cm*5cm
Material	Cu
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Monolayer Graphene on Cu/Copper Substrate bezieht sich auf ein spezielles Verfahren zur Synthese von Graphen, einer einzelnen Schicht aus Kohlenstoffatomen, die in einem hexagonalen Gitter angeordnet sind, auf einer Kupferoberfläche mittels chemischer Gasphasenabscheidung. Stanford Advanced Materials (SAM) ist in der Lage, Monolayer-Graphen mit hoher Reinheit und zu wettbewerbsfähigen Preisen zu liefern.

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CVD Monolayer Graphene on Cu/Copper Substrate

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Wachstumsmethode	CVD (Chemische Abscheidung aus der Gasphase)
Erscheinungsbild	Durchsichtig
Durchsichtigkeit	>97%
Bedeckung	>95%
Schichtdicke (theoretisch)	0,345 nm
AFM-Dicke	<1 nm
Elektronenbeweglichkeit auf SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Schichtwiderstand auf SiO2/Si	350±40 Ohm/sq (1cm x1cm)
Korngröße	bis zu 20 μm
Cu-Foliendicke	18 μm
Rauheit	~80 nm

Wachstumsmethode	CVD (Chemische Gasphasenabscheidung)
Erscheinungsbild	Transparent
Durchsichtigkeit	>97%
Bedeckung	>95%
Schichtdicke (theoretisch)	0,345 nm
AFM-Dicke	<1 nm
Elektronenbeweglichkeit auf SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Schichtwiderstand auf SiO2/Si	350±40 Ohm/sq (1cm x1cm)
Korngröße	bis zu 20 μm
Cu-Foliendicke	18 μm
Rauheit	~80 nm

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