CVD Monolayer Graphene Beschreibung
CVD-Monolayer-Graphen auf Cu/Kupfer-Substrat bezieht sich auf ein spezielles Verfahren zur Synthese von Graphen, einer einzelnen Schicht von Kohlenstoffatomen, die in einem hexagonalen Gitter angeordnet sind, auf einer Kupferoberfläche unter Verwendung chemischer Gasphasenabscheidungsverfahren.
Monolayer-Graphen bezieht sich auf eine einzelne Schicht von Kohlenstoffatomen, die in einer wabenförmigen Gitterstruktur angeordnet sind. Diese einlagige Struktur ist aufgrund ihrer einzigartigen elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften, die sich deutlich von Bulk-Graphit oder anderen Formen von Kohlenstoff unterscheiden, sehr begehrt.
Kupfer (Cu)-Folien oder dünne Filme werden üblicherweise als Substrat für das Graphenwachstum mittels CVD verwendet. Kupfer erleichtert die katalytische Zersetzung von kohlenstoffhaltigen Gasen und dient als Vorlage für die Bildung von Graphen. Nach der Synthese kann die Graphenschicht vom Kupfersubstrat auf andere Materialien für verschiedene Anwendungen übertragen werden.
CVD Monolayer Graphen Spezifikation
Wachstumsmethode
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CVD (Chemische Abscheidung aus der Gasphase)
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Erscheinungsbild
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Durchsichtig
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Durchsichtigkeit
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>97%
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Bedeckung
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>95%
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Schichtdicke (theoretisch)
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0,345 nm
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AFM-Dicke
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<1 nm
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Elektronenbeweglichkeit auf SiO2/Si
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≈1500 cm2/V-s
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Schichtwiderstand auf SiO2/Si
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350±40 Ohm/sq (1cm x1cm)
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Korngröße
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bis zu 20 μm
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Cu-Foliendicke
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18 μm
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Rauheit
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~80 nm
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CVD Monolayer Graphen Anwendungen
- Elektronik: Als transparente, leitfähige Elektroden in Displays und Solarzellen.
- Sensoren: Aufgrund seiner großen Oberfläche und Empfindlichkeit.
- Verbundwerkstoffe: Zur Verbesserung der mechanischen Festigkeit und Leitfähigkeit.
- Forschung: Zur Untersuchung der grundlegenden Eigenschaften von Graphen.
CVD Monolayer Graphene Verpackung
CVD Monolayer Graphene wird während der Lagerung und des Transports sorgfältig behandelt, um die Qualität unseres Produkts in seinem ursprünglichen Zustand zu erhalten.